5G-Basisstationsantenne kundenspezifische Leiterplatte bleifreie HASL-Leiterplattenmontage

HTF bietet Hochfrequenz-PCBA-Fertigungsdienste, die speziell für 5G-Basisstationen und Telekommunikationsgeräte auf FR4, CEM1, CEM3 High TG, FR1-4, Polyimid, Kupfer und Aluminium-Basismaterialien mit mehrschichtiger Kupferdicke von 0,5 oz bis 6 oz, Platinendicke von 0,4 mm bis 6,0 mm und Oberflächenveredelungsoptionen wie bleifreiem HASL, ENIG und Tauchsilber unter ISO9001, RoHS und CE-zertifiziertem Qualitätsmanagement mit kundenspezifischen OEM- und Original-IC-MCU-Lieferantendiensten und einem niedrigen MOQ ab 1 Stück entwickelt wurden. Unsere 5G-Basisstation-PCBA-Montage deckt das gesamte Spektrum der 5G-Radio-Access-Network-Ausrüstung ab, von der Antennenanordnung und der Funkheitseinheit an der Turmspitze über die Basisbandverarbeitung der Distributed Unit bis hin zu den Paketverarbeitungsfunktionen der Centralized Unit, wobei die Fertigungsprozesse für die anspruchsvolle Kombination aus Hochfrequenz-HF-Leistung, Hochgeschwindigkeits-Digitalverarbeitung und Carrier-Grade-Zuverlässigkeit optimiert sind, die für die 5G-Netzwerkinfrastruktur erforderlich sind. Die Montage von 5G-Basisstation-Funkheitseinheiten beinhaltet die anspruchsvollste Kombination von Leiterplattentechnologien mit Antennenelementanordnungen, die direkt auf der Leiterplatte bei 3,5 GHz oder 28 GHz und 39 GHz Millimeterwellenbändern integriert sind und eine extrem präzise Impedanzkontrolle auf den Antennenspeisenetzwerken erfordern, Beamforming-RFICs in BGA-Gehäusen, die eine ENIG-Oberflächenveredelung für zuverlässige Pad-Ebenheit erfordern, HF-Transceiver mit Direktkonversionsarchitekturen, die eine sorgfältige HF- und LO-Leitungsführung mit Isolation zwischen den Kanälen erfordern, und digitale Front-End-Verarbeitung mit Hochgeschwindigkeits-JESD204-Serienschnittstellen zwischen Datenwandlern und Basisbandprozessoren, die eine kontrollierte Impedanz-Differentialpaar-Leitungsführung bei Multi-Gigabit-Datenraten erfordern. Die Fähigkeit zur mehrschichtigen Kupferverarbeitung ermöglicht Single-Board-Funkheitseinheitsdesigns, die feine Kupferleitungen für HF- und digitale Schaltungen mit 2 oz bis 6 oz Schwerkupfer für die DC-Stromversorgung der Dutzenden von Beamforming-ICs und HF-Leistungsverstärkern auf einem Massive-MIMO-Panel kombinieren. High-TG-Basismaterialien bieten die thermische und mechanische Stabilität für den Außeneinsatz von Basisstationen im Temperaturbereich von minus 40 bis plus 55 Grad Celsius bei direkter Sonneneinstrahlung und Eigenerwärmung durch Leistungsverlust. Die Montage von 5G-Basisstationen umfasst auch Distributed-Unit-Basisbandverarbeitungsplatinen mit Multi-Core-ARM- oder x86-Prozessoren und Hardwarebeschleunigung sowie Centralized-Unit-Paketverarbeitungsplatinen mit Hochgeschwindigkeits-Netzwerkschnittstellen, die beide die kontrollierte Impedanz und Signalintegrität unserer Hochfrequenzfertigung für die 25-Gbps- und schnelleren Schnittstellen innerhalb von 5G-Systemen erfordern. Ein niedriger MOQ ab 1 Stück unterstützt die Entwicklung von 5G-Geräten von der Prototypenbewertung über Feldversuche bis zur Erstinstallation.

• Spezialisierung auf 5G-Basisstationen: Leiterplattenmontage für 5G-Radio-Access-Network-Geräte, einschließlich RU, DU und CU-Funktionen mit integrierter HF- und Digitalfertigung.
• Integration von Antennenanordnungen: Fertigungsprozesse für auf Leiterplatten integrierte Antennenanordnungen bei Frequenzen unter 6 GHz und im Millimeterwellenbereich mit präziser Impedanzkontrolle auf den Speisenetzwerken.
• Montage von Beamforming-RFICs: Präzisions-BGA-Platzierung und ENIG-Oberflächenveredelung für die Dutzenden von Beamforming-ICs auf Massive-MIMO-Funkheitseinheitspanels.
• Mehrschichtiges Kupfer: Feine Kupferleitungen für HF und Digital plus Schwerkupfer für die Stromversorgung, die die Integration von Single-Board-Funkheitseinheiten ermöglichen.
• Outdoor-Zuverlässigkeit mit High TG: Materialien mit erhöhter Glasübergangstemperatur für den Betrieb von 5G-Basisstationen im Bereich von -40 bis +55 °C bei Sonneneinstrahlung und Eigenerwärmung.
• Hochgeschwindigkeits-Digital-Schnittstellen: Kontrollierte Impedanz-Differentialpaar-Leitungsführung für JESD204 und 25-Gbps-Fronthaul-Schnittstellen in 5G-Basisstation-Geräten.
• Niedriger MOQ von Prototyp bis Produktion: Mindestbestellmenge von 1 Stück zur Unterstützung der Entwicklung, Feldversuche und Erstinstallation von 5G-Geräten vor der Massenproduktion.

HTF Hochfrequenz-PCBA für 5G-Basisstationen bedient die vollständige 5G-Netzwerkbereitstellung von Makrozellen bis hin zu Small Cells und Indoor-Abdeckung. 5G Massive-MIMO-Funkheitseinheiten mit 64 Sende- und 64 Empfangsantennenelementen, 64 Beamforming-RFICs, mehreren HF-Transceivern und digitaler Front-End-Verarbeitung auf großen mehrlagigen Platinen, die in einer Dimension 400 mm überschreiten, stellen die anspruchsvollste 5G-Basisstation-Leiterplattenanwendung dar, bei der unsere integrierte Antennenanordnung, präzise BGA-Platzierung, mehrschichtige Kupfer- und High-TG-Materialfähigkeiten kombiniert werden, um diese komplexen Systeme herzustellen. 5G Small Cell Funkheitseinheiten für urbane Verdichtung und Indoor-Abdeckung mit 4 bis 16 Antennenelementen, integriertem Beamforming, HF-Transceiver, Basisbandprozessor und Backhaul-Schnittstelle auf kompakten mehrlagigen Platinen profitieren von unserer präzisen HF-Fertigung und dem niedrigen MOQ für die kleineren Produktionsvolumina von Small-Cell-Bereitstellungen im Vergleich zu Makro-Basisstationen. 5G Distributed Unit Basisbandverarbeitungskarten mit Multi-Core-Prozessoren, LDPC- und Polar-Code-Hardwarebeschleunigern und Fronthaul-Schnittstellen zu Funkheitseinheiten auf 16- bis 24-lagigen Platinen erfordern die kontrollierte Impedanz und Signalintegrität unserer Hochfrequenzfertigung für die Multi-Gigabit-Schnittstellen, während die High-TG-Materialien Zuverlässigkeit in den kontrollierten, aber nicht klimatisierten Umgebungen bieten, in denen DUs häufig eingesetzt werden. 5G Centralized Unit Server-Blades mit Paketverarbeitungsbeschleunigung, Netzwerkschnittstellenkarten und Hochgeschwindigkeits-Backplane-Verbindungen für die 5G-Kernnetzwerkschnittstelle profitieren von unserer Fertigung für die 25-Gbps-, 50-Gbps- und 100-Gbps-Schnittstellen, die CU-Funktionen mit dem 5G-Kern verbinden.

Jede Baugruppe einzeln in standardmäßiger antistatischer Schutzverpackung verpackt. Vollständige Dokumentation mit Impedanzprüfberichten und Konformitätszertifikaten. ISO9001, RoHS, CE-zertifiziert. Niedriger MOQ ab 1 Stück.